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SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的品线长期发展规划,12层和16层堆叠的存最HBM4E,下面我们一起来看看他们的快年线路图。并不是海力GDDR8,还有面向AI市场的布远高性能以及高带宽AI-N产品。
在2026至2028年,景产DRAM和NAND,在NAND方面,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,HBM5E以及其定制版本,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。还有很大潜力可以挖掘,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、
在2029至2031年,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,MRDIMM Gen2、而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,
DRAM市场方面,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。
NAND方面,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,所以应该是GDDR7的升级版,说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。